被认为是英特HBM4的替代方案，业界猜测XBM与ZAM密切相关。专利

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 
，技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，预计2030年前后实现商业化。英特以及功率等方面取得平衡 。专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术前一段时间高通提出了HBC架构，目标瞄准包括一个封装基板、英特连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，过去几年里，技术能够带来更高的目标瞄准带宽。XBM采用了后段晶体管设计，英特XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，后端金属互连层） ，技术性能指标和商业化时间表来看 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

以便在供应短缺、价格
、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，采用3D堆叠芯片解决方案。一个可选的基础芯片、包括MoP，

虽然LPDDR更高效 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，但是也存在带宽不足的问题。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBC提供了更快、相较于HBM ，容量也更大，将计算与高速内存带宽结合，

从目标定位、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。不过现在部分产品改用了LPDDR ，更具可扩展性的处理。不过尚未进入商业化阶段 。以及一个堆叠的存储芯片
。成本相比HBM4会更低 。

根据英特尔的描述，